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脈沖激光沉積PLD鍍膜設備
產品簡介
該設備運用脈沖激光鍍膜(PLD)的薄膜沉積技術,通過脈沖激光快速蒸發靶材,生成與靶材組成相同的薄膜。借著連續溶化混雜的靶,制造不同物質的多層膜,透過控制脈沖的數量,可以精密調節薄膜厚度至單原子層。
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該設備運用脈沖激光鍍膜(PLD)的薄膜沉積技術,通過脈沖激光快速蒸發靶材,生成與靶材組成相同的薄膜。借著連續溶化混雜的靶,制造不同物質的多層膜,透過控制脈沖的數量,可以精密調節薄膜厚度至單原子層。PLD方法可以獲得擁有熱力學理論上準穩定狀態的組成和構造的人工合成新材料,可以制做陶瓷氧化物(ceramic oxide)、氮化物膜(nitride films)、金屬多層膜(metallic multilayers),以及各種超晶格(superlattices)。

薄膜生長原理:
PLD是將脈沖激光透過合成石英窗導入真空腔內照射到成膜靶上,靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume狀等離子體狀態,然后被堆積到設在對面的基板上而成膜。

特點:
?   一束激光能夠供多個真空系統使用,節約成本。
?   在10至15分鐘,可生長高質量的樣品,實現高效率鍍膜。
?   作為一種“數字”技術,可在納米尺度上進行工藝控制(A/pulse)。
?   沉積膜保留了靶的化學計量成分,生長出與靶子同樣化學組成的膜。
?   通過控制鍍膜壓力和溫度,可以合成一系列具有獨特功能的納米結構和納米顆粒。
?   能量源(脈沖激光)位于真空室的外面,在材料合成時,工作壓力的動態范圍很寬,達到10-10 Torr ~ 100 Torr。

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型號 HCPLD-80 HCPLD-120 HCPLD-180 HCPLD-240
腔室直徑 8英寸 12英寸 18英寸 24英寸
真空系統 分子泵 + 干式機械泵
壓力(Torr) <10-8 <10-8 <10-8 <10-8
最高樣品溫度 950℃ 950℃ 850℃ 850℃
極限真空度 5.0×10-5 Pa 5.0×10-5 Pa 5.0×10-5 Pa 5.0×10-5 Pa
靶材數量 4個1’’ 6個1’’或3個2’’ 6個1’’或4個2’’ 6個1’’或4個2’’
轉架 公自轉 公自轉 公自轉 公自轉
自轉速度 0~60轉/分 0~60轉/分 0~60轉/分 0~60轉/分

適用材料:高溫超導、記憶性材料、氧化物半導體材料、鐵磁性材料三五族材料
主要用于制備氧化物薄膜、超導薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等;可以鍍制單層膜或者多層膜。

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